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DRAM di tipo EDO ottimizzata per letture a raffica
(Burst Extended Data Out DRAM)
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La DRAM BEDO (Burst Extended Data Out) costituisce una variante della EDO DRAM e aumenta ancora di più rispetto a quest'ultima la durata del ciclo di lettura. Poichè molte applicazioni per PC accedono alla memoria in raffiche di 4 cicli per riempire la cache, una volta conosciuto il primo indirizzo, è possibile fornire rapidamente alla memoria i tre successivi e recuperarne il contenuto. Il trucco consiste nell'aggiungere sul chip un contatore d'indirizzi che calcola l'indirizzo successivo senza attendere che questo arrivi dal processore. In questo modo il processore riesce a leggere dati dalla memoria per ogni ciclo di clock, senza incorrere in stati di attesa, tuttavia questa condizione di sincronizzazione dura per poco tempo e non è permanente come nella SDRAM. Inoltre la BEDO RAM non riesce a tenere il passo con processori che su bus di memoria usino una frequenza superiore ai 66 MHz.La DRAM di tipo BEDO dispone anche di uno stadio a pipeline che permette di dividere in due componenti il ciclo di accesso alla pagina. L'operazione di lettura inizia con il primo componente che accede ai dati dalla matrice righe/colonne e li trasferisci allo stadio di output, il secondo componente prende i dati dallo stadio di output e li trasmette sul bus di sistema. Poichè i dati sono già nel buffer di output, si raggiunge un tempo di accesso più veloce. La memoria BEDO può arrivare a un tempo massimo di 5-1-1-1 (con BEDO DRAM di 52 ns e un bus a 66 MHz), risparmiando tre ulteriori cicli di clock rispetto a una memoria EDO ottimamente progettata.
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